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Si7940DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.05
0.04
0.03
V GS = 4.5 V
2500
2000
1500
C iss
0.02
V GS = 2.5 V
1000
C oss
0.01
0.00
500
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 11.8 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 11.8 A
0
3
6
9
12
15
- 5 0
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
20
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 5 A
0.03
I D = 11.8 A
0.02
T J = 25 °C
0.01
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71845
S09-0268-Rev. E, 16-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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